• 0.25um GaN Process
• DC- 8GHz
• 4 – 300 W
东科芯微电子(南京)有限公司East Microwave Device Co .，Ltd
15261419279
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作为第三代复合半导体技术，氮化镓（GaN）基于其更高能隙，更高饱和速度等等各项特征，在射频领域体现出显著优势，正在快速应用于对性能要求较高的射频功率应用领域。
东科芯在氮化镓器件的开发设计生产上拥有多年的优势，拥于28V GaN 和 50V GaN 两种氮化镓工艺的功率器件产品系列。
• 在器件设计上
• 多年深厚的设计经验
• 独有的超宽带设计能力
• 谐波控制的高效设计
• 在批量生产上，领先的能够保证性能一致性的生产控制能力
• 在技术支持上，快速的技术支持，和灵活的参考应用开发
• 在产品种类丰富度上，力争提供行业最为丰富的产品系列
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